| タイトル |
-
分子線エピタキシにより成長されたGaSb系化合物半導体の評価とデバイスへの応用に関する研究 : 早稲田大学大学院理工学研究科博士論文
|
| その他のタイトル |
-
Characterization and device application of GaSb and related compounds grown by molecular beam epitaxy
-
bunshisen epitakishi ni yori seichosareta jieiesubikei kagobutsu handotai no hyoka to debaisu eno oyo ni kansuru kenkyu : waseda daigaku daigakuin rikogaku kenkyuka hakushi ronbun
|
| 作成者 |
|
| 内容注記 |
-
Other
制度:新 ; 文部省報告番号:乙1072号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1995-02-09 ; 早大学位記番号:新2130 ; 理工学図書館請求番号:1821
|
| 出版者 |
[出版者不明]
|
| 言語 |
|
| 資源タイプ |
thesis |
| 資源識別子 |
HDL
http://hdl.handle.net/2065/50072
,
URI
https://waseda.repo.nii.ac.jp/records/17656
|
| 学位情報 |
-
学位授与番号
32689乙第1072号
-
学位授与機関
-
学位授与年月日
1995-02-09
-
学位名
博士(工学)
|
| ファイル |
|
| コンテンツ更新日時 |
2023-10-02 |
