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タイトル
  • en Device characteristics and performance estimation of nearly lattice-matched InAlN/AlGaN heterostructure field-effect transistors
作成者
    • en Miyoshi, Makoto ja 三好, 実人 ja-Kana ミヨシ, マコト
    • en Tsutsumi, Tatsuya
    • en Nishino, Gosuke
    • en Miyachi, Yuta
    • en Okada, Mayuko
    • en Freedsman, Joseph J.
    • en Egawa, Takashi ja 江川, 孝志 ja-Kana エガワ, タカシ
出版者 en American Institute of Physics
日付
    Issued2016-08-25
言語
  • eng
資源タイプ journal article
出版タイプ VoR
資源識別子 URI https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6373
収録誌情報
    • ISSN 2166-2746
    • NCID AA10804928
      • en Journal of Vacuum Science and Technology B
      • 巻34 号5 開始ページ050602
ファイル
コンテンツ更新日時 2025-08-29