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Detection of defect levels in vicinity of Al₂O₃/p-type GaN interface using sub-bandgap-light-assisted capacitance-voltage method

収録誌名Journal of Applied Physics
巻 132 号 19 開始ページ 195302

日付 2022-11-16

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Fabrication of GaN nanowires containing n(+)-doped top layer by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment

Shimauchi, Michihito | Miwa, Kazuki | Toguchi, Masachika | Sato, Taketomo | Motohisa, Junichi

収録誌名Applied Physics Express (APEX)
巻 14 号 11 開始ページ 111003

日付 2021-11-01

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Self-terminating contactless photo-electrochemical (CL-PEC) etching for fabricating highly uniform recessed-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs)

収録誌名Journal of Applied Physics
巻 130 号 2 開始ページ 24501

日付 2021-07-08

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor

収録誌名AIP Advances
巻 10 号 6 開始ページ 065215

日付 2020-06-10

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Self-termination of contactless photo-electrochemical (PEC) etching on aluminum gallium nitride/gallium nitride heterostructures

収録誌名Applied Physics Express (APEX)
巻 13 号 2 開始ページ 026508

日付 2020-02-01

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices

収録誌名IEEE transactions on semiconductor manufacturing
巻 32 号 4 開始ページ 489 終了ページ 495

日付 2019-11

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Low-Damage Etching for AlGaN/GaN HEMTs Using Photo-Electrochemical Reactions

Sato, Taketomo | Toguchi, Masachika | Komatsu, Yuto | Uemura, Keisuke

収録誌名IEEE transactions on semiconductor manufacturing
巻 32 号 4 開始ページ 483 終了ページ 488

日付 2019-11

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Communication-Anisotropic Electrochemical Etching of Porous Gallium Nitride by Sub-Bandgap Absorption Due to Franz-Keldysh Effect

Toguchi, Masachika | Miwa, Kazuki | Sato, Taketomo

収録誌名Journal of the electrochemical society
巻 166 号 12 開始ページ H510 終了ページ H512

日付 2019-07-15

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Effect of photoelectrochemical etching and post-metallization annealing on gate controllability of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Uemura, Keisuke | Deki, Manato | Honda, Yoshio | Amano, Hiroshi | Sato, Taketomo

収録誌名Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
巻 58 開始ページ SCCD20

日付 2019-06-01

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Electrodeless photo-assisted electrochemical etching of GaN using a H3PO4-based solution containing S2O82- ions

収録誌名Applied Physics Express
巻 12 号 6 開始ページ 066504

日付 2019-06

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Effects of a photo-assisted electrochemical etching process removing dry-etching damage in GaN

収録誌名Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
巻 57 号 12 開始ページ 121001

日付 2018-12

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Precise thickness control in recess etching of AlGaN/GaN hetero-structure using photocarrier-regulated electrochemical process

Kumazaki, Yusuke | Uemura, Keisuke | Sato, Taketomo | Hashizume, Tamotsu

収録誌名Journal of Applied Physics
巻 121 号 18 開始ページ 184501

日付 2017-05-14

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Precise Structural Control of GaN Porous Nanostructures Utilizing Anisotropic Electrochemical and Chemical Etching for the Optical and Photoelectrochemical Applications

Kumazaki, Yusuke | Matsumoto, Satoru | Sato, Taketomo

収録誌名Journal of The Electrochemical Society
巻 164 号 7 開始ページ H477 終了ページ H483

日付 2017-05-12

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching

Kumazaki, Yusuke | Yatabe, Zenji | Sato, Taketomo

収録誌名Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
巻 55 号 4 開始ページ 04

日付 2016-04

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Large photocurrents in GaN porous structures with a redshift of the photoabsorption edge

収録誌名Semiconductor science and technology
巻 31 号 1 開始ページ 14012

日付 2016-01

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Interface trap states in Al2O3/AlGaN/GaN structure induced by inductively coupled plasma etching of AlGaN surfaces

Yatabe, Zenji | Asubar, Joel T. | Sato, Taketomo | Hashizume, Tamotsu

収録誌名Physica status solidi A applications and materials science
巻 212 号 5 開始ページ 1075 終了ページ 1080

日付 2015-05

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Formation of GaN-Porous Structures Using Photo-Assisted Electrochemical Process in Back-Side Illumination Mode

Watanabe, Akio | Kumazaki, Yusuke | Yatabe, Zenji | Sato, Taketomo

収録誌名ECS Electrochemistry Letters
巻 4 号 5 開始ページ H11 終了ページ H13

日付 2015-03-14

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Correlation between Structural and Photoelectrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching

Kumazaki, Yusuke | Watanabe, Akio | Yatabe, Zenji | Sato, Taketomo

収録誌名Journal of the Electrochemical Society
巻 161 号 10 開始ページ H705 終了ページ H709

日付 2014-08-06

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices

Kumazaki, Yusuke | Kudo, Tomohito | Yatabe, Zenji | Sato, Taketomo

収録誌名Applied Surface Science
巻 279 開始ページ 116 終了ページ 120

日付 2013-08-15

北海道大学学術成果コレクション北海道大学

Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure

Jinbo, Ryohei | Kudo, Tomohito | Yatabe, Zenji | Sato, Taketomo

収録誌名Thin Solid Films
巻 520 号 17 開始ページ 5710 終了ページ 5714

日付 2012-06-30

北海道大学学術成果コレクション北海道大学